IRFP264PBF

Symbol Micros: TIRFP264
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Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 75 mOhm; 38A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP264PBF; IRFP264;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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