IRFP2907

Symbol Micros: TIRFP2907
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,5 mOhm; 209A; 470 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP2907PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 470W
Max. Drainstrom: 209A
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP2907 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,7352 2,2522 2,0520 1,9742 1,9530
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 470W
Max. Drainstrom: 209A
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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