IRFP3006

Symbol Micros: TIRFP3006
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 mOhm; 270A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3006PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3006 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
147 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
Nettopreis (EUR) 7,1042 5,7018 5,0809 4,9345 4,8330
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Standard-Verpackung:
25/200
Widerstand im offenen Kanal: 2,5mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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