IRFP3077

Symbol Micros: TIRFP3077
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 200A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3077PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 340W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,8275 3,8634 3,4872 3,3532 3,2403
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Standard-Verpackung:
5
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,8275 3,8634 3,4872 3,3532 3,2403
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 200A
Maximaler Leistungsverlust: 340W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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