IRFP3077
Symbol Micros:
TIRFP3077
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 3,3 mOhm; 200A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3077PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 340W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,8510 | 3,8822 | 3,5042 | 3,3695 | 3,2561 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,8510 | 3,8822 | 3,5042 | 3,3695 | 3,2561 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3077PBFXKMA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,2561 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 340W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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