IRFP3206PBF
Symbol Micros:
TIRFP3206
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3206PBF; IRFP3206;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7795 | 2,2912 | 2,0847 | 2,0072 | 1,9861 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
165 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9861 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3206PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
12080 stk.
| Anzahl Stück | 125+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9861 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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