IRFP32N50K

Symbol Micros: TIRFP32n50k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 160 mOhm; 32A; 460 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFP32N50KPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 460W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP32N50K RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 25+ 50+
Nettopreis (EUR) 10,0430 9,5259 9,1964 9,0454 8,9676
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Standard-Verpackung:
25/100
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP32N50K RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 25+ 50+
Nettopreis (EUR) 10,0430 9,5259 9,1964 9,0454 8,9676
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 460W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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