IRFP3306

Symbol Micros: TIRFP3306
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,2 mOhm; 160A; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3306PBF; IRFP3306TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3306 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
69 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9773 1,4665 1,2640 1,1911 1,1628
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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