IRFP3415

Symbol Micros: TIRFP3415
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3415PBF; IRFP3415TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP3415 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8532 1,3751 1,1861 1,1178 1,0905
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO247
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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