IRFP350

Name: TIRFP350 TIRFP350
Brand: Siliconix
SKU: TIRFP350
Price: 1.2656 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP350

Gehäuse: TO 3P

N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 300 mOhm; 16A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP350PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP350 RoHS Gehäuse: TO 3P

Auf Lager:

71 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8983	1,5069	1,3476	1,2890	1,2656

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP350PBF Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	1,2656

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP350PBF Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	1,2656

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP350PBF Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

265 stk.

Anzahl Stück	5+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	1,5523

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT