IRFP350
Symbol Micros:
TIRFP350
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 300 mOhm; 16A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP350PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP350 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
71 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8973 | 1,5061 | 1,3468 | 1,2883 | 1,2648 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP350PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
240 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7359 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 16A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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