IRFP4227

Symbol Micros: TIRFP4227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 25mOhm; 65A; 330 W; -40 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4227PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4227 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0634 2,5243 2,2981 2,2136 2,1885
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT

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