IRFP4227
Symbol Micros:
TIRFP4227
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 25mOhm; 65A; 330 W; -40 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4227PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-25
Anzahl Stück: 25
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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