IRFP4229

Symbol Micros: TIRFP4229

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 46mOhm; 44A; 310 W; -40 °C ~ 175 °C; IRFP4229PBF

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	46mOhm
Max. Drainstrom:	44A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4229 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,9842	3,1897	2,8462	2,7134	2,6745

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4229PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	2,6745

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4229PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

3422 stk.

Anzahl Stück	275+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	2,6745

Widerstand im offenen Kanal:	46mOhm
Max. Drainstrom:	44A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Montage:	THT