IRFP4310Z

Symbol Micros: TIRFP4310z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4310ZPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 134A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4310ZPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 7+ 21+ 70+
Nettopreis (EUR) 2,5919 2,2240 2,0555 1,9273 1,8514
Standard-Verpackung:
18
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4310ZPBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 7+ 21+ 70+
Nettopreis (EUR) 2,5919 2,2240 2,0555 1,9273 1,8514
Standard-Verpackung:
7
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 134A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT