IRFP450
Symbol Micros:
TIRFP450
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 400 mOhm; 14A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP450PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFP450 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Auf Lager:
80 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9908 | 1,4719 | 1,2653 | 1,1926 | 1,1714 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP450PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
1431 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1714 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP450APBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1714 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFP450PBF
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
2600 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1714 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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