IRFP460

Symbol Micros: TIRFP460
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 270 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460APBF; IRFP460PBF; LTB:15-OCT-2022; LTS: 15.04.2023; Verwendung: IRFP460B, SiHG460B
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP460 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
418 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,6276 3,1201 2,9016 2,8147 2,7912
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Standard-Verpackung:
25/500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1810 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7912
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Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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