IRFP460

Symbol Micros: TIRFP460
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 270 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460APBF; IRFP460PBF; LTB:15-OCT-2022; LTS: 15.04.2023; Verwendung: IRFP460B, SiHG460B
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFP460 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
418 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,6399 3,1307 2,9114 2,8242 2,8006
Standard-Verpackung:
25/500
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT