IRFP460PBF

Symbol Micros: TIRFP460 VBS

Gehäuse: TO-247-3

TO-274AA MOSFETs ROHS IRFP460PBF-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	530W
Gehäuse:	TO247-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRFP460PBF-VB RoHS Gehäuse: TO-247-3 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,2552	1,7895	1,5876	1,5302	1,5027

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	530W
Gehäuse:	TO247-3
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT