IRFP460PBF

Symbol Micros: TIRFP460 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-247-3
TO-274AA MOSFETs ROHS IRFP460PBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 530W
Gehäuse: TO247-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 530W
Gehäuse: TO247-3
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT