IRFP460LCPBF

Symbol Micros: TIRFP460lc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFP460LCPBF; IRFP460LC;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFP460LCPBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,8723 2,3660 2,1537 2,0743 2,0510
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 280W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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