IRFP4668PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP4668 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 220V; 20V; 27mOhm; 130A; 700W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFP4668PBF; IRFP4668PBFXKMA1; SP001572854; SP005732696;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 700W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFP4668PBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1225 1,6834 1,4945 1,4284 1,4142
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 700W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT