IRFP4710

Symbol Micros: TIRFP4710

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 72A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4710PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	72A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	14mOhm
Max. Drainstrom:	72A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT