IRFP4768

Symbol Micros: TIRFP4768

Gehäuse: TO247

N-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 17,5 mOhm; 93A; 520 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4768PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17,5mOhm
Max. Drainstrom:	93A
Maximaler Leistungsverlust:	520W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4768 RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

38 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	100+
Nettopreis (EUR)	6,0212	5,4016	5,1272	5,0634	5,0184

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4768PBFXKMA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

185 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,0184

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4768PBFXKMA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

1416 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,0184

Widerstand im offenen Kanal:	17,5mOhm
Max. Drainstrom:	93A
Maximaler Leistungsverlust:	520W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT