IRFP4868PBF INFINEON

Symbol Micros: TIRFP4868
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor-N-Channel-MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5 mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFP4868PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 517W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4868 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,9109 5,3011 5,0340 4,9702 4,9253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFP4868PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
285 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,9253
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 25,5mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 517W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole