IRFPC50

Symbol Micros: TIRFPC50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 600 mOhm; 11A; 180 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPC50PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5249 2,0033 1,7910 1,7125 1,6825
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6825
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
115 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,9930
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPC50PBF Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
1845 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6825
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT