IRFPE40
Symbol Micros:
TIRFPE40
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPE40PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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