IRFPE40

Symbol Micros: TIRFPE40
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPE40PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPE40 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1454 1,7023 1,5227 1,4551 1,4295
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5,4A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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