IRFPE50PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFPE40 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 48W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFPE40PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFPE40PBF RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9364 1,5371 1,3640 1,3040 1,2902
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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