IRFPE50

Symbol Micros: TIRFPE50

Gehäuse: TO247

N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,2 Ohm; 7,8A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPE50PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	7,8A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPE50 RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	2,9232	2,2857	2,0165	1,9149	1,8866

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPE50PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

275 stk.

Anzahl Stück	75+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8866

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPE50PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

325 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,9001

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPE50PBF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

1980 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8866

Widerstand im offenen Kanal:	1,2Ohm
Max. Drainstrom:	7,8A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT