IRFPG40

Symbol Micros: TIRFPG40
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 3,5 Ohm; 4,3A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPG40PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPG40 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3350 1,7944 1,5724 1,4922 1,4591
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFPG40PBF Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1195 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,8658
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT