IRFPG40

Symbol Micros: TIRFPG40
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Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 1000V; 20V; 3,5 Ohm; 4,3A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPG40PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 4,3A
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFPG40 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3077 1,7733 1,5540 1,4747 1,4420
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Max. Drainstrom: 4,3A
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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