IRFPG50
Symbol Micros:
TIRFPG50
Gehäuse: TO247
N-MOSFET 6.1A 1000V(1kV) 190W 2? IRFPG50PBF
Parameter
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPG50PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3454 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPG50PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
250 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4955 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPG50PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
770 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1424 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPG50PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1465 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5044 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFPG50PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
475 stk.
| Anzahl Stück | 225+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5536 |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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