IRFPS3810

Symbol Micros: TIRFPS3810
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SUPER-247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 9mOhm; 170A; 580 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFPS3810PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 580W
Gehäuse: SUPER-247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 580W
Gehäuse: SUPER-247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT