IRFR014

Symbol Micros: TIRFR014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 7,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR014PBF; IRFR014TRPBF; IRFR014TRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR014PBF RoHS Gehäuse: TO252  
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,6449 0,4072 0,3083 0,2848 0,2801
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75/600
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR014PBF Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3748
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole