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IRFR024N HXY MOSFET

Name: TIRFR024 HXY TIRFR024 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRFR024HXY
Price: 0.1547 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR024 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR024N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4025	0,2636	0,1888	0,1650	0,1547

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3884	0,2149	0,1695	0,1554	0,1490

Anzahl Stück	2+	10+	40+	170+	680+
Nettopreis (EUR)	0,4425	0,2660	0,2097	0,1857	0,1765

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7791	0,4943	0,3907	0,3554	0,3390

IRFR024N HXY MOSFET

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