IRFR120N

Symbol Micros: TIRFR120n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120NPBF-GURT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR120NTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
168 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4453 0,2704 0,2077 0,1874 0,1783
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR120NTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4453 0,2704 0,2077 0,1874 0,1783
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR120NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1783
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR120NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
112600 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1783
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR120NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
122000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1783
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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