IRFR120NTR UMW

Symbol Micros: TIRFR120n UMW
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 9,4A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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