IRFR13N20DTRPBF

Symbol Micros: TIRFR13n20d

Gehäuse: TO252

N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 235 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR13N20DTRPBF; IRFR13N20DPBF; IRFR13N20D;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	235mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	235mOhm
Max. Drainstrom:	13A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD