IRFR2405 smd

Symbol Micros: TIRFR2405
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR2405TRPBF; IRFR2405PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR2405TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 40+ 120+
Nettopreis (EUR) 1,3486 1,0233 0,8429 0,7455 0,7099
Standard-Verpackung:
120
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD