IRFR320 smd

Symbol Micros: TIRFR320
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3.1A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR320TRPBF; IRFR320PBF; IRFR320TRLPBF; IRFR320TRRPBF; IRFR320PBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR320 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7883 0,5842 0,4317 0,3707 0,3425
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR320PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
4575 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3425
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR320TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
9999 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3425
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR320PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
10407 stk.
Anzahl Stück 525+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3425
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD