IRFR320 smd
Symbol Micros:
TIRFR320
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1,8 Ohm; 3.1A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR320TRPBF; IRFR320PBF; IRFR320TRLPBF; IRFR320TRRPBF; IRFR320PBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFR320 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
120 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7943 | 0,5886 | 0,4349 | 0,3735 | 0,3451 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR320PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
3650 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3451 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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