IRFR3410TRPBF
Symbol Micros:
TIRFR3410
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 39mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3410TRPBF; IRFR3410PBF; IRFR3410PBF-GURT; IRFR3410TRLPBF; IRFR3410TR-VB; IRFR3410TRLPBF; IRFR3410TRPBF-VB; IRFR3410;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR3410 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7541 | 0,4784 | 0,3782 | 0,3440 | 0,3281 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR3410TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
7250 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4582 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 39mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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