IRFR3411
Symbol Micros:
TIRFR3411
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 32A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
115000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2642 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2548 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Externes Lager:
1750 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4468 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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