IRFR3411TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFR3411 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 30A; 42W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF; SP001560590; SP001564934;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR3411TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8012 0,5022 0,4181 0,3714 0,3480
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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