IRFR3607TRPBF
Symbol Micros:
TIRFR3607 c
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 0,0087Ohm; 75A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 0,0087Ohm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 0,0087Ohm |
Max. Drainstrom: | 75A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | VBsemi |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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