IRFR3607TRPBF

Symbol Micros: TIRFR3607 c

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 0,0087Ohm; 75A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	0,0087Ohm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	62,5W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	0,0087Ohm
Max. Drainstrom:	75A
Maximaler Leistungsverlust:	62,5W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VBsemi
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD