IRFR3607TRPBF

Symbol Micros: TIRFR3607 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 0,0087Ohm; 75A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,0087Ohm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,0087Ohm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD