IRFR3709Z

Symbol Micros: TIRFR3709z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 86A 30V 79W IRFR3709ZTRPBF; IRFR3709ZPBF-GURT; IRFR3709ZPBF; IRFR3709ZTRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD