IRFR3709Z

Symbol Micros: TIRFR3709z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 86A 30V 79W IRFR3709ZTRPBF; IRFR3709ZPBF-GURT; IRFR3709ZPBF; IRFR3709ZTRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3709ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3244
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD