IRFR3910

Symbol Micros: TIRFR3910 TEC

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 100 mOhm; 14,7A; 34,7 W; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	14,5A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-12-31

Anzahl Stück: 200

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	14,5A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT