IRFR4104
Symbol Micros:
TIRFR4104
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4104PBF; IRFR4104TRLPBF; IRFR104TRRPBF; IRFR4104TRPBF; IRFR4104PBF-GURT; IRFR4104TRPBF-VB;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Max. Drainstrom: | 119A |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Max. Drainstrom: | 119A |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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