IRFR4104TRPBF

Symbol Micros: TIRFR4104 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFR4104TRPBF-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRFR4104TRPBF-VB RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1558 0,7697 0,6379 0,5743 0,5508
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C

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