IRFR4105

Symbol Micros: TIRFR4105

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR4105 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

55 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7137	0,4507	0,3568	0,3240	0,3099

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

598 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7137	0,4507	0,3568	0,3240	0,3099

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

1950 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3099

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR4105TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

252000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3099

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	27A
Maximaler Leistungsverlust:	68W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD