IRFR4105Z

Symbol Micros: TIRFR4105z

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 24,5 mOhm; 30A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR4105ZTRPBF; IRFR4105ZPBF; IRFR4105ZPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	24,5mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	24,5mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD