IRFR420 smd

Symbol Micros: TIRFR420
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR420TRPBF; IRFR420PBF; IRFR420TRRPBF; IRFR420PBF-BE3; IRFR420TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR420PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6871 0,4329 0,3388 0,3082 0,2988
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR420TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
160000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2988
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR420TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2988
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR420PBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2470 stk.
Anzahl Stück 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2988
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD