IRFR420 smd
Symbol Micros:
TIRFR420
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR420TRPBF; IRFR420PBF; IRFR420TRRPBF; IRFR420PBF-BE3; IRFR420TRPBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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