IRFR420 smd

Symbol Micros: TIRFR420
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR420TRPBF; IRFR420PBF; IRFR420TRRPBF; IRFR420PBF-BE3; IRFR420TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR420PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6858 0,4322 0,3382 0,3077 0,2983
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD