IRFR420A

Symbol Micros: TIRFR420 a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 3.3A 500V 83W 3Ω IRFR420APBF IRFR430ATRLPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR420APBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3407
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR420APBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4160
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD