IRFR48Z

Symbol Micros: TIRFR48z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 62A; 91W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR48ZPBF; IRFR48ZTRLPBF; IRFR48ZTRPBF; IRFR48ZPBF-GURT;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 91W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR48Z RoHS Gehäuse: TO252t/r (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8474 0,6290 0,4652 0,3988 0,3679
Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 91W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD