IRFR5305TRPBF-ES ElecSuper

Symbol Micros: TIRFR5305 ES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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60V 25A 22mΩ@10V,5A 30W 1.6V 1 P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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