IRFR5305TRPBF(XBLW) XBLW

Symbol Micros: TIRFR5305 XBLW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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60V 20A 100mΩ@4.5V,10A 40W 1.8V 1 P-Channel TO-252-2L MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO-252-2L
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO-252-2L
Hersteller: XBLW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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