IRFR540Z
Symbol Micros:
TIRFR540z
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28,5 mOhm; 35A; 91W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR540ZTRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 91W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR540Z RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2724 | 0,9696 | 0,8029 | 0,7043 | 0,6691 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR540ZTRLPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
42000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6691 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 28,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 91W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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